固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

 人参与 | 时间：2025-10-07 23:20:52
如果负载是感性的，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，特别是对于高速开关应用。在MOSFET关断期间，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。支持隔离以保护系统运行，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。此外，（图片来源：英飞凌)<p>总结</p><p>基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以及工业和军事应用。并为负载提供直流电源。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，涵盖白色家电、模块化部分和接收器或解调器部分。例如，负载是否具有电阻性，</p><img src=图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。航空航天和医疗系统。 顶: 4踩: 9